C30724EH – Si APD, 500 µm, TO Gehäuse
Die C30724EH Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem metallischen TO Gehäuse.
Die APD der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm sowie steile Anstiegs- und Abfallzeiten von etwa 5 ns. Diese Serie von APDs eignet sich gut für Großserienanwendungen von 905 nm laserbasierten Entfernungsmesssystemen und kann bei konstanter Spannung ohne Temperaturausgleich betrieben werden. Die C30724EH verwendet ein hermetisches TO-18 Gehäuse.
Hauptmerkmale:
- Si APD mit 905 nm Filter in metallischem TO Gehäuse
- 5 ns Anstiegs- und Abfallzeit
- Betrieb bei niedriger Verstärkung möglich
- Keine Temperaturkompensation notwendig
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserpistole zur Verkehrsgeschwindigkeitsmessung
Aktive Fläche: 0,2 mm2
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: 350 V
Kapazität: 1 pF
Dunkelstrom: 20 nA
Verstärkung: >12, 15, <18
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 920 nm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Empfindlichkeit: 8,5 A/W bei 920 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
Dunkelstrom: 20 nA
Betriebsspannnungsbereich: 150 V – 200 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm
Aktive Fläche: 0,2 mm2
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: 350 V
Kapazität: 1 pF
Dunkelstrom: 20 nA
Verstärkung: >12, 15, <18
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 920 nm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Empfindlichkeit: 8,5 A/W bei 920 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
Dunkelstrom: 20 nA
Betriebsspannnungsbereich: 150 V – 200 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm