C30737LH-230-83N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 650 nm Bandpassfilter
Die C30737LH-230-83N Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm mit verbesserter 800-nm-Reaktion und 650 nm optischem Bandpass in einem bleifreien Keramikträger (LCC).
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 650 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm
- Optischer Bandpassfilter bei 650 nm
- SMD Keramikgehäuse (LCC)
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 650 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 650 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter